知財高裁（平成２５年７月２３日）“ＬＥＤ事件”は、「本願発明の発明の詳細な説明には、実質的には、『サファイア基板の上部表面上に陥凹部又は突出部を被うように半導体材料の層をエピタキシャル成長させる。』との記載があるだけであり、半導体材料の層をエピタキシャル成長させる際の手順及び条件を示した具体的な説明が記載されていない。したがって、本願発明の優先日当時の技術常識に照らして、本願明細書の発明の詳細な説明の記載から本願発明を実施し（本願発明のＬＥＤの生産）、本願発明にいう『改善されたＬＥＤ』を得ることは、当業者に期待し得る程度を超える過度の試行錯誤を強いるものといわざるを得ない。以上によれば、本願明細書の発明の詳細な説明は実施可能要件を満たさないというべきであり、これと同旨の審決の判断に誤りはない」と述べている。