東京地裁（平成２８年６月１５日）“窒化ガリウム系化合物半導体発光素子事件”は、「乙７号証ないし乙１２号証には、『電子キャリア濃度が小さくかつ露出表面が形成されたｎ−層と、これに接してこれよりも基板側に電子キャリア濃度が大きいｎ＋層が設けられている』という、相違点１３−２・・・・に係る構成は開示されていないのであるから、乙１３発明に乙７号証ないし乙１２号証に開示された構成を適用しても、相違点１３−２に係る本件発明１の構成が導かれることはない。また、乙７号証ないし乙１２号証及び乙２７公報をもっても、低濃度にドーピングした層に電極用の露出表面を形成し、その下に接して高濃度にドーピングした層を設ける配置とすることが設計的事項にすぎないと認めることはできない。したがって、本件発明１が、乙１３発明に周知技術又は公知技術を適用することにより、当業者が容易に発明をすることができたものであったとは認められない」と述べている。